三星电子计划进军新的3DDRAM领域，展示能让市场迈向未来的最新技术。
三星成为首家迈入3DDRAM时代的公司，计划在十年内推出解决方案
过去几个季度，DRAM行业出现了一些平静，显然，各公司正忙于应对库存水平高、消费者需求低迷的严峻财务状况。
现在情况有所好转，重点终于转移到下一代研发上，而这一次，三星拿出了自己的3DDRAM实现方案，预计将在明年生效。
根据出现的演示幻灯片，DRAM行业正在转向10纳米以下压缩生产线。为了打破现代DRAM技术创新的僵局，三星计划推出两种新方法，称为垂直通道晶体管(VerticalChannelTransistor)和堆叠式DRAM(StackedDRAM)，这两种方法都涉及元件位置的差异，最终减少器件面积占用，进而确保更高的性能。
同样，为了增加内存容量，三星计划利用堆叠DRAM概念，这使该公司能够实现更高的存储面积比，从而将芯片容量增加到未来可能达到100GB。话虽如此，预计到2028年3DDRAM市场将增长至1000亿美元，从目前来看，三星的发展相对较早，这可能意味着这家韩国巨头将引领DRAM行业走向未来，但现在说还为时过早。